碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，因其寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優異性能，在電力電子、射頻器件、光電器件等領域展現出巨大潛力。然而，碳化硅晶體極高的硬度和化學惰性，使其加工難度遠高于傳統硅材料，尤其是表面拋光環節直接決定了器件的性能和可靠性。化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）技術通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用，成為實現碳化硅超光滑、低損傷表面加工的關鍵工藝。本文將系統介紹碳化硅CMP技術的原理、核心要素、最新進展及未來挑戰。
一、碳化硅CMP技術的基本原理
CMP技術是一種表面全局平坦化方法，其核心在于化學腐蝕與機械去除的動態平衡。對于碳化硅而言，拋光液中氧化劑（如H?O?、Fe³?等）首先與表面發生氧化反應，生成質地較軟的SiO?或金屬硅酸鹽層；隨后拋光墊與磨料（如納米級二氧化硅、金剛石）通過機械摩擦作用去除軟化層。這一過程中，化學腐蝕降低了材料的機械強度，而機械作用加速了反應產物的剝離，二者協同實現高效材料去除。研究表明，4HSiC的CMP去除率可達0.52 μm/h，表面粗糙度可控制在0.1 nm以下（RMS值），滿足功率器件對襯底表面質量的要求。
二、碳化硅CMP的核心技術要素
1. 拋光液配方設計
碳化硅CMP拋光液需兼顧氧化能力與膠體穩定性。主流體系包括：
堿性體系（pH 1012）：采用KOH或胺類調節pH，配合H?O?氧化，可形成易去除的SiOSi鍵，但對設備腐蝕性強；
酸性體系（pH 24）：以Fe(NO?)?或Cr?O?為催化劑，通過Fenton反應產生活性氧，氧化效率高但易引入金屬污染；
復合氧化體系：如H?O?與KMnO?聯用，在近中性pH下實現高選擇比（SiC/SiO?＞100:1）。
2. 磨料選擇與優化
傳統SiO?磨料因硬度不足（莫氏硬度7）導致效率低下，而金剛石磨料（硬度10）易產生劃痕。最新研究采用核殼結構磨料，如Al?O?@SiO?（芯部為硬質Al?O?提升切削力，外殼為SiO?降低表面損傷），使材料去除率提升40%的同時將表面缺陷密度控制在＜0.5/cm²。
3. 工藝參數控制
壓力：通常保持2035 kPa，過高壓力會引發亞表面裂紋；
轉速：拋光盤與載具轉速差需優化至50100 rpm以避免渦流效應；
溫度：維持在4060℃可加速氧化反應，但需防止拋光液成分分解。
三、技術挑戰與創新解決方案
1. 表面/亞表面損傷控制
碳化硅CMP后易出現位錯層（深度可達50 nm），影響器件擊穿電壓。中科院團隊開發了"兩步拋光法"：先采用含納米金剛石的粗拋液快速去除（Ra＜1 nm），再用膠體SiO?精拋修復損傷，使6英寸SiC襯底的微管密度降至＜0.1個/cm²。
2. 選擇性拋光需求
對于SiConInsulator結構，需實現SiC與底層SiO?的高選擇比。東京工業大學提出的電化學機械拋光（ECMP）技術，通過施加1.5V偏壓使SiC表面優先氧化，選擇比提升至200:1，臺階高度差控制在±0.3 nm內。
3. 環保型工藝開發
針對傳統拋光液含重金屬的問題，廣東工業大學研發了以過硫酸銨為氧化劑的綠色配方，配合可降解螯合劑EDDS，使COD排放降低70%，且拋光速率保持1.2 μm/h。
四、前沿技術動態
1. 等離子體輔助CMP
北京大學團隊將大氣壓等離子體與CMP耦合，利用等離子體產生的活性氧物種（如O?、·OH）預氧化SiC表面，使6HSiC的去除率提升至3.8 μm/h，表面粗糙度達0.07 nm（AFM測量范圍10×10 μm²）。
2. 智能化過程監控
應用原位光譜技術（如拉曼光譜）實時監測表面化學狀態，結合機器學習算法動態調節pH值和氧化劑濃度，清華大學實現的閉環控制系統使批次間拋光均勻性偏差＜3%。
3. 超精密拋光裝備
美國應用材料公司推出的Mirra CMP系統配備多區壓力調節拋光頭，針對150mm SiC晶圓的非均勻性可控制在1%以內，配合在線膜厚測量模塊，加工效率提升30%。
五、未來發展方向
隨著8英寸SiC晶圓量產需求迫近，CMP技術面臨更大挑戰：① 開發適應大尺寸晶圓的均質拋光工藝；② 突破SiC與GaN異質集成的選擇性拋光瓶頸；③ 探索干式CMP、激光輔助CMP等新原理技術。據Yole預測，2027年全球SiC CMP耗材市場規模將達8.7億美元，年復合增長率達22%，其中中國市場份額有望突破35%。
碳化硅CMP技術的進步將持續推動寬禁帶半導體產業的發展。從材料科學角度看，新型催化氧化機制的發現、原子級表面調控技術的突破，將進一步提升拋光質量與效率；從產業應用維度，與外延生長、器件制造工藝的協同優化，將成為下一代功率模塊性能提升的關鍵支點。
